ÖNÜMLER

ÖNÜMLER

  • InGaAs APD modullary

    InGaAs APD modullary

    Güýçlendirmekden öňki zynjyrly indiý gallium arsenid göç fotodiod moduly bolup, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýär.

  • Dört dörtburç APD

    Dört dörtburç APD

    UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si göçgünli fotodiodyň dört sany birliginden ybarat.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçilik: 40 A / W 1064 nm.

  • Dört dörtburç APD modullary

    Dört dörtburç APD modullary

    Ol güýçli güýç signalyny güýçlendirip, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin naprýa signaleniýa signalyna öwrülmäge mümkinçilik berýän Si güýç göçüriş fotodiodynyň dört sany birliginden ybarat.

  • 850nm Si PIN modullary

    850nm Si PIN modullary

    Güýçlendirmekden öňki zynjyry bolan 850nm Si PIN fotodiod moduly, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýär.

  • 900nm Si PIN fotodiod

    900nm Si PIN fotodiod

    Ters tarapdan hereket edýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 930nm.

  • 1064nm Si PIN fotodiod

    1064nm Si PIN fotodiod

    Ters tarapdan hereket edýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçiligi: 1064 nm-de 0.3A / W.

  • Süýüm Si PIN modullary

    Süýüm Si PIN modullary

    Optiki signal optiki süýümi girizip häzirki signala öwrülýär.Si PIN moduly, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirişiniň öwrüliş prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýän güýçlendirme desgasy bilen.

  • Dört dörtburç Si PIN

    Dört dörtburç Si PIN

    Tersine işleýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiodyň dört birmeňzeş birliginden ybarat.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçilik: 1064 nm-de 0,5 A / W.

  • Dört dörtburç Si PIN modullary

    Dört dörtburç Si PIN modullary

    Ol güýçlendirilen deslapky zynjyrly Si PIN fotodiodyň birmeňzeş ýa-da iki esse birliginden ybarat bolup, gowşak tok signalyny güýçlendirip, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin naprýatageeniýe signalyna öwrüler.

  • UV güýçlendirilen Si PIN

    UV güýçlendirilen Si PIN

    Tersine işleýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän güýçlendirilen UV bilen Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 800nm.Jogapkärçiligi: 340 nm-de 0,15 A / W.

  • 1064nm YAG lazer -15mJ-5

    1064nm YAG lazer -15mJ-5

    Bu passiw Q-kommutasiýa Nd: 1064nm tolkun uzynlygy, ≥15mJ iň ýokary güýji, 1 ~ 5hz (sazlap bolýan) impulsyň gaýtalanma tizligi we ≤8mrad tapawutlylyk burçy bolan YAG lazeri.Mundan başga-da, kiçijik we ýeňil lazer bolup, aýratyn senariýa we uçuş ýaly ses we agram üçin berk talaplary bolan käbir ssenariýalar üçin üýtgeýän aralyk üçin ideal ýagtylyk çeşmesi bolup biljek ýokary energiýa çykarylyşyna ýetip bilýär.

  • 1064nm YAG lazer-15mJ-20

    1064nm YAG lazer-15mJ-20

    1064nm tolkun uzynlygy, ≥15mJ iň ýokary güýji we ≤8mrad tapawutlylyk burçy bilen passiw Q-çalyşýan Nd : YAG lazeridir.Mundan başga-da, ýokary ýygylykda (20Hz) uzak aralyga ideal ýagtylyk çeşmesi bolup bilýän kiçijik we ýeňil lazerdir.