InGaAs APD modullary

Model: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Gysga düşündiriş:

Güýçlendirmekden öňki zynjyrly indiý gallium arsenid göç fotodiod moduly bolup, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýär.

sitata al Göçürip al

Tehniki parametr

Haryt bellikleri

Aýratynlyklary

Öň tarapy yşyklandyrylan tekiz çip
Speedokary tizlikli jogap
Detektoryň ýokary duýgurlygy

Goýmalar

Lazer aralygy
Lazer aragatnaşygy
Lazer duýduryşy

Fotoelektrik parametri（@ Ta = 22 ± 3 ℃）

# Element	Bukja kategoriýasy	Duýgur ýeriň diametri (mm)	Spektral jogap aralygy (nm)	Bölüniş naprýa .eniýesi （V）	Jogapkärçilik M = 10 λ = 1550nm (kV / W)	Wagtyň ýokarlanmagy （Ns）	Zolak giňligi (MGs)	Temperatura koeffisiýenti T_a= -40 ℃ ～ 85 ℃ （V / ℃）	Şowhunly ekwiwalent güýç (pW / √Hz)	Konsentrasiýa （μm）	Beýleki ýurtlarda çalşylýan görnüş
GD6510Y	TO-8	0.2	1000 ～ 1700	30 ～ 70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0.21		-
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B