1064nm Si PIN fotodiod

Model: GT102F0.2 / GT102F0.5 / GT102F1 / GT102F2 / GT102F4 / GD3310Y / GD3217Y

Gysga düşündiriş:

Ters tarapdan hereket edýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçiligi: 1064 nm-de 0.3A / W.

sitata al Göçürip al

Tehniki parametr

Haryt bellikleri

Aýratynlyklary

Öň tarapy yşyklandyrylan gurluş
Pes garaňky tok
Responseokary jogap
Ygtybarlylyk

Goýmalar

Optiki süýüm aragatnaşygy, duýgur we üýtgeýän
UV-den NIR-e optiki kesgitleme
Çalt optiki impuls kesgitlemek
Senagat üçin dolandyryş ulgamlary

Fotoelektrik parametri （@ Ta = 25 ℃）

# Element	Bukja kategoriýasy	Duýgur ýeriň diametri (mm)	Spektral jogap aralygy (nm)	Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy (nm)	Jogapkärçilik (A / W) λ = 1064nm	Wagtyň ýokarlanmagy λ = 1064nm V_R= 40V R_L= 50Ω (ns)	Garaňky tok V_R= 40V (n / A)	Birleşmäniň kuwwaty V._R= 40V f = 1MHz (pF)	Bölüniş naprýa .eniýesi （V）
GT102F0.2	Koaksial görnüş II, 5501, TO-46 Wilkanyň görnüşi	Ф0.2	4 ～ 1100	980	0.3	10	0,5	0,5	100
GT102F0.5		Ф0.5				10	1.0	0.8
GT102F1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102F2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102F4	TO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70