DETEKTOR

DETEKTOR

  • 355nm APD

    355nm APD

    Uly fotosensiw ýüzli we güýçlendirilen UV bolan Si göç fotodiody.UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýär.

  • 800nm ​​APD

    800nm ​​APD

    UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si göç fotodiody.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 800nm.

  • 905nm APD

    905nm APD

    UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si göç fotodiody.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 905nm.

  • 1064nm APD

    1064nm APD

    UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si göç fotodiody.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 1064nm.Jogapkärçilik: 36 A / W 1064 nm.

  • 1064nm APD modullary

    1064nm APD modullary

    Güýçli tok signalyny güýçlendirip, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin naprýatageeniýe signalyna öwrülmäge mümkinçilik berýän güýçlendirme desgasy bilen güýçlendirilen Si göç fotodiod moduly.

  • InGaAs APD modullary

    InGaAs APD modullary

    Güýçlendirmekden öňki zynjyrly indiý gallium arsenid göç fotodiod moduly bolup, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýär.

  • Dört dörtburç APD

    Dört dörtburç APD

    UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si göçgünli fotodiodyň dört sany birliginden ybarat.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçilik: 40 A / W 1064 nm.

  • Dört dörtburç APD modullary

    Dört dörtburç APD modullary

    Ol güýçli güýç signalyny güýçlendirip, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin naprýa signaleniýa signalyna öwrülmäge mümkinçilik berýän Si güýç göçüriş fotodiodynyň dört sany birliginden ybarat.

  • 850nm Si PIN modullary

    850nm Si PIN modullary

    Güýçlendirmekden öňki zynjyry bolan 850nm Si PIN fotodiod moduly, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirmek prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýär.

  • 900nm Si PIN fotodiod

    900nm Si PIN fotodiod

    Ters tarapdan hereket edýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 930nm.

  • 1064nm Si PIN fotodiod

    1064nm Si PIN fotodiod

    Ters tarapdan hereket edýän we UV-den NIR-e çenli ýokary duýgurlygy üpjün edýän Si PIN fotodiod.Iň ýokary jogap tolkun uzynlygy 980nm.Jogapkärçiligi: 1064 nm-de 0.3A / W.

  • Süýüm Si PIN modullary

    Süýüm Si PIN modullary

    Optiki signal optiki süýümi girizip häzirki signala öwrülýär.Si PIN moduly, foton-fotoelektrik-signal güýçlendirişiniň öwrüliş prosesine ýetmek üçin gowşak tok signalyny güýçlendirip, naprýatageeniýe signalyna öwürmäge mümkinçilik berýän güýçlendirme desgasy bilen.

12Indiki>>> Sahypa 1/2